SOI材料具有了體硅所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢(shì)，因此可以說(shuō)SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術(shù)。此外，SOI材料還被用來(lái)制造MEMS光開(kāi)關(guān)，如利用體微機(jī)械加工技術(shù)。

　　SOI應(yīng)用范圍：

　　除了特異的優(yōu)點(diǎn)，在集成電路中使用外，還被用于微光機(jī)電MEMS系統(tǒng)的制造，如3D反射鏡陣列開(kāi)關(guān)。該反射鏡是在SOI襯底的活性層中形成可動(dòng)反射鏡，與另一臺(tái)階狀電極的襯底連接而成。由于使用單晶硅襯底，且在可動(dòng)反射鏡，直徑500微米，的上下面上對(duì)稱(chēng)的以同一條件而形成反射膜等，因此，具有10納米級(jí)的翹曲與數(shù)十納米的表面粗糙度。